حمدا... صالحی - دانشگاه شهیدچمران اهواز
حسین طولابی نژاد - دانشگاه شهیدچمران اهواز

دراین مقاله باتوجه به نظریه تابعی چگالی و حل معادلات کوهن شم با استفاده ازپایه های موج تخت به محاسبه ویژگیهای الکترونی ازجمله ساختارنوارهای انرژی و چگالی حالت های نانوسیم InP پرداخته شده است نتایج بدست امده نشان میدهد که نوارهای انرژی سطح فرمی را قطع نکرده و دارای یک گاف انرژی به اندازه 1/49 eV می باشد که سازگاری خوبی با نتایج تجربی دارد

نظریه تابعی چگالی، InP، شبه پتانسیل، ساختارنواری، نانوسیم