CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

تهیه لایه های نازک نانوبلورهای ZnS به روش لایه نشانی رشدمحلول: مورداستفاده درسلولهای خورشیدی

عنوان مقاله: تهیه لایه های نازک نانوبلورهای ZnS به روش لایه نشانی رشدمحلول: مورداستفاده درسلولهای خورشیدی
شناسه ملی مقاله: BSNANO02_057
منتشر شده در دومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو در سال 1390
مشخصات نویسندگان مقاله:

علیرضا گودرزی - دانشگاه گلستان
اعظیمه دربیگی نامقی - دانشجوی کارشناس ارشدشیمی فیزیک

خلاصه مقاله:
دراین تحقیق چگونگی ساخت لایه های نازک نانوبلوری روی سولفید باروش لایه نشانی رشدمحلول SGD روی زیرلایه ی شیشه ای مورد بررسی قرارگرفت دراین روش ازتری اتیل آمین به عنوان عامل کمپلکس دهنده و تیواستامید به عنوان منبع گوگرد استفاده گردید انالیز داده های XRD نمونه ها نشان میدهد که نانوبلورهای ZnS تهیه شده ساختارمکعبی دارند تصاویرFE-SEM بدست امده ازنمونه ها نشان میدهد که دانه بندی ذرات فیلم یکنواخت و متراکم است انالیز eDX نشان میدهد که فیلم های ZnS تهیه شده نیمه رسانای نوع n بود هاست

کلمات کلیدی:
لایه های نازک، روی سولفید، نانوبلور، لایه نشانی رشدمحلول، نیمه رسانا

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/229400/