بررسی خواص ترانزیستوراثرمیدان نانونوارگرافینی درحضورانحراف لبه های نانونوار
عنوان مقاله: بررسی خواص ترانزیستوراثرمیدان نانونوارگرافینی درحضورانحراف لبه های نانونوار
شناسه ملی مقاله: BSNANO02_033
منتشر شده در دومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو در سال 1390
شناسه ملی مقاله: BSNANO02_033
منتشر شده در دومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو در سال 1390
مشخصات نویسندگان مقاله:
آرش یزدانپناه گوهرریزی - دانشگاه تهران
ابوالفضل چمن مطلق - دانشگاه جامع امام حسین ع
علی میر - دانشگاه لرستان
خلاصه مقاله:
آرش یزدانپناه گوهرریزی - دانشگاه تهران
ابوالفضل چمن مطلق - دانشگاه جامع امام حسین ع
علی میر - دانشگاه لرستان
اخیرااستفاده ازگرافین به علت گیت درترانزیستورهای اثرمیدان بسیارموردتوجه قرارگرفته است این مقاله به بررسی این افزاره ها باوجود ناصافی لبه های نانونوارگرافینی می پردازد برای بدست اوردن خواص افزاره بااستفاده ازتابع گرین غیرتعادلی و درنظرگرفتن اثرسومین همسایه نزدیک به همراه تصحیح تاثیر اولین همسایه نزدیک به سبب انحراف لبه ها نتایج شبیه سازی برای 200نمونه صورت گرفته و متوسط گیری شده ست
کلمات کلیدی: نانونوارگرافین، ترانزیستوراثرمیدان، نسبت جریان روشنی به خاموشی، ناهمواری لبه
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/229376/