مهرداد مرادی - پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان
سید محمد باقر قرشی - گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان ، کاشان
مصطفی زاهدی فر - پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان. گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان ، کاشان
طیبه قربانی - پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان

رفتار فوتوولتائیک و بازدهی سلوا خورشیدی لایه نازک CLGS به شدت به ضخامت لایه ها و به تبع آن به نسبت اتمی عناصر بکار رفته در نیمرسانای نوع P آن وابسته است. این عناصر شامل مس، ایندیوم، گالیوم و سلنیوم هستند که از بین نسبت های اتمی گسترده ای که می تواند حاصل شود، تنها به ازای بازه ی کوچکی از این نسبت ها رسانایی نوع P و همچنین غلظت مطلوب برای حامل ها مشاهده می شود. در این تحقیق با محاسبه درصد اتم های هریک از عناصر در ضخامت های مربوطه، ضخامت بهینه لایه های In و Cu-Ga به لحاظ تئوری محاسبه شده و رابطه هایی برای آنها بر حسب ضخامت کل لایه CLG و نسبت مس به ایندیوم ارائه شده است.

سلول خورشیدی، لایه نازک CLGS، نسبت اتمی