ایرج کریمی گیگلو - واحد پارس آباد مغان، دانشگاه آزاد اسلامی واحد پارس آباد مغان، ایران
رجب کریمی گیگلو - واحد پارس آباد مغان، دانشگاه آزاد اسلامی واحد پارس آباد مغان، ایران

در این مقاله مساله اساسی پیدا کردن ارتباط بین محل و ابعاد نقص نقطه ای با خواص انتشاری و انتقالی یک فیلترموجبری کریستال فوتونیکی و بهینه سازی مشخصه انتقالی و انتشاری این ساختار به کمک تغییر در محل و ابعاد نقصنقطه ای می باشد. برای این کار ابتدا ساختارکریستال فوتونیکی دارای نقص باروش تفاضل محدود درحوزه زمان تحلیل (FDTD) می شود. سپس برای بهینه سازی مشخصه های انتقالی و انتشاری ساختار، از روش بهینه سازی ازدحام ذرات (PSO) استفاده می شود. نتایج حاصل ازروش ازدحام ذرات دوباره با روش تفاضل محدود درحوزه زمان تحلیل می شود. تا مشخصه انتقالی و انتشاری با مقادیر جدید بدست آید. مشخصه های بدست آمده با مشخصه هایمطلوب مقایسه می شود و در صورت رسیدن به مشخصه مطلوب الگوریتم خاتمه می یابد و در غیر اینصورت الگوریتمباز هم تکرار می شود. بعبارت دیگر دراین مقاله روش تفاضل محدوددرحوزه زمان با الگوریتم بهینه سازی ازدحام ذراتتزویج می شود، تا با تغییر محل و ابعاد نقص، مشخصه های انتقالی و انتشاری مربوط به ساختار فیلتر موجبری کریستال فوتونیکی بهبود داده شود.

موجبر ،کریستال فوتونیکی ،تفاضل محدود در حوزه زمان ،بهینه سازی ازدحام ذرات ،نقص نقطه ای