بررسی تغییرات پارامترهای فیزیکی ترانزیستور ALGAN/GAN HFET به منظور بهبود عملکرد آن

  • سال انتشار: 1392
  • محل انتشار: اولین همایش تخصصی علوم ، فناوری و سامانه های مهندسی برق
  • کد COI اختصاصی: STSEE01_005
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1141
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

عبدالنبی کوثریان

دانشگاه شهید چمران عضو هیات علمی گروه مهندسی اهواز

تینا دقوقی

دانشجوی کارشناسی ارشد اهواز

چکیده

در این مقاله دو مدل برای توصیف رفتار سرعت رانش حاملها در طول افزاره بر حسب بایاس اعمال شده بیان میشود. با شبیهسازی مدلها و مقایسهی آنها، تاثیر در نظر گرفتن اثر الکترون انتقالی وشیب منفی نمودار سرعت میدان برای بهبود مشخصهی جریان ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی فراپیوندی GaN / AlGaN بررسی شده است. همچنین شبیهسازی رفتار ترانزیستور با مقادیر مختلفمقاومت اتصالات در جهت بررسی تاثیر همزمان تحرک منفی حاملها و نوع روش ساخت و تعیین مشخصات فیزیکی افزارهها انجام شده است

کلیدواژه ها

HFET ، AlGaN/GaN ، تحرک منفی حاملها ،تحرک وابسته به میدان،گارالکترونی دوبعدی،اثر الکترون انتقالی،مقاومت اتصالات

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.