CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

مطالعه اختلاف سطح یک سلول خورشیدی فتوالکترولیز شیمیایی در ساختار لایه های نازک بس بلور CuInSe2 در شدت روشنایی پایین

عنوان مقاله: مطالعه اختلاف سطح یک سلول خورشیدی فتوالکترولیز شیمیایی در ساختار لایه های نازک بس بلور CuInSe2 در شدت روشنایی پایین
شناسه (COI) مقاله: THINFILM01_035
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نو آوری ها در پردازش لایه های نازک و مشخصه های آنها در سال 1390
مشخصات نویسندگان مقاله:

مسعود دشتیانی - گروه فیزیک دانشگاه هرمزگان

خلاصه مقاله:
در این پژوهش ترکیب سه گانه نیمرساناCuInx Se2-x داخل ساختار الکترولیتی شامل محلول یونهای Se ,In, Cu در یک جریان پایین تهیه شده است.آنالیز EDAX در ساختار لایه های نازک و اثر فتوالکترود و جفت اکسایش که با کاهش الکترولیت S-2/S2-2 بر روی لایه های نازک پلی کریستالی ایجاد می گردد مورد بررسی قرار گرفته و همچنین مطالعه فتوالکترولیز شیمیایی PESC انجام شده است. با استفاده از مدل بازنگری سریع پارامترهای خورشیدی ، مقدار ولتاژ مدار باز (Voc) و جریان مدار کوتاه (Jsc) در یک روشنایی پایین با شدت 66 mA/Cm ثبت شده است . اختلاف سطح (voc) و (Jsc) و توان خروجی در یک شدت روشنایی پایین برای اتصال الکترولیت - نیمه رسانا و یا اتصال فلز - نیمه رسانا با استفاده از مدار ایده آلی که قدرت دسترسی به حسگرهای خودکار سلول خورشیدی را دارد بدست آمد .

کلمات کلیدی:
الكتروليتي، لايه هاي نازك، فتوالكتروليز شيميايي، CuInSe2، نيمرسانا

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/220786/