افزایش مقاومت سلول SRAM کم توان در برابر خطای نرم
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
- کد COI اختصاصی: ICEEE05_055
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 946
نویسندگان
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک
عضو هیات علمی دانشکده فنی،دانشگاه گیلان
چکیده
باتوجه به پیشرفت تکنولوژی درمقیاسهای نانو و پایین تر گرایش به ساخت مدارات دراین مقیاس ها افزایش چشمگیری یافته است که نتیجه آن کاهش ولتاژ راه اندازی توان و سطح مصرفی است البته با کاهش مقیاس اثرنویز و خطاها بویژه خطای نرم افزایش می یابد هدف این مقاله ارایه روشهایی برای مقاوم ترکردن یک سلول SRAM باتوان و سطح مصرفی مناسب دربرابر خطای نرم است سلول مبنای ارایه شده یک سلول SRAM 8ترانزیستور است ازراه های بکاررفته دراین مقاله برای افزایش مقاومت سلول دربرابر خطای نرم افزایش ظرفیت خازنی مدار به جهت افزایش قدرتجمع آوری بار و نیز افزایش ثابت زمانی مدار است نتایج شبیه سازی سلول 8ترانزیستوری باروشهای پیشنهادی با استفاده ازنرم افزارHSPICE و مقایسه آن با سلول 6ترانزیستوری استاندارد و سلول 8ترانزیستوری مبنا نشان میدهد باوجود افزایش تعدادترانزیستورودرنتیجه افزایش سطح مصرفی مقاومت سلول دربرابر خطای نرم افزایش می یابدکلیدواژه ها
خطای نرم، DRAM ،SRAM، پایداری سلولSNMمقالات مرتبط جدید
- سیستم تشخیص نفوذ در محیط رایانش ابری با استفاده از یادگیری ویژ گی
- کاهش هزینه تعمیراتی ماشین های سنگین از طریق بهبود الگوریتم درخت تصمیم با الگوریتم های انتخاب ویژگی Information Gain ،Correlation و SVM
- پردازش کوانتومی تصاویر پزشکی و تشخیص لبه آن با استفاده از الگوریتم QHED
- بررسی و مقایسه روشهای تشخیص اکانت های جعلی در شبکه های اجتماعی
- مکان یابی و مقدار بهینه منابع تولید پراکنده به منظورکاهش تلفات و بهبود انحراف ولتاژ شبکه نامتعادل توزیع
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.