ماده انتقال دهنده حفره ارزان قیمت و موثر برپایه متیلن دی آنیلین برای کاربرد در سلول های خورشیدی پروسکایتی

سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 74

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

GIICONF02_138

تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1403

چکیده مقاله:

در سلول های خورشیدی پروسکایتی، مواد انتقال دهنده حفره نقش مهمی در پایداری و کارایی سلول ها دارند. با این حال، هزینه بالا و فرآیند سنتز پیچیده ممکن است کاربرد اقتصادی آن را محدود کند. در این کار، یک انتقال دهنده حفره ارزان قیمت و موثر برپایه متیلن دی آنیلین با سیستم π مزدوج برای بهبود عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی گزارش شده است. نتایج نشان داد که مشارکت سیستم π مزدوج در این انتقال دهنده حفره باعث افزایش پایداری سلول خورشیدی پروسکایتی می شود. سلول های خورشیدی ساخته شده با این انتقال دهنده حفره، بازده %۷۹/۱۴ را نشان دادند. بنابراین این انتقال دهنده حفره جدید می تواند گزینه مناسبی برای استفاده در سلول های خورشیدی پروسکایتی باشد.

کلیدواژه ها:

فوتوولتائیک ، سلول های خورشیدی ، پروسکایت ، مواد انتقال دهنده حفره

نویسندگان

بابک پاشائی

گروه شیمی معدنی، دانشکده شیمی، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران