بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدی به کمک حل عددی معادلات نفوذ- رانش CIGS
- سال انتشار: 1391
- محل انتشار: پنجمین کنفرانس نیروگاههای برق
- کد COI اختصاصی: EPGC05_019
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1028
نویسندگان
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
چکیده
با توجه به نقش سلولهای خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدیدپذیر پایدار، در این مقاله به بررسی میپردازیم. در ابتدا روش حل عددی معادلات نفوذ-رانش برای این دسته CIGS عملکرد یک سلول خورشیدی فیلم نازک به ازای ،Ga به غلظت CIGS ساختارهای فراپیوند شرح داده میشود. همچنین با توجه به وابستگی گاف انرژی سلولهای برای دستیابی به بیشترین بازده ارائه CIGS پارامترهای سلول ترسیم میشوند و مقدار گاف انرژی سلول Ga مقادیر متفاوت میگردد. در پایان نیز مشخصه جریان- ولتاژ سلول با گاف انرژی بهینه رسم میشود.کلیدواژه ها
.CIGS مدلسازی عددی ساختار فراپیوند، ثابت جذب، چگالی نقص جاذب ،CIGS سلول خورشیدیمقالات مرتبط جدید
- بررسی پدیده خشکسالی در استان خوزستان با استفاده از شاخص بارش استانداردSPI
- طبقه بندی تومورهای مغزی از تصاویر MRI با شبکه کانولوشن و روش های آموزش انتقال
- افزایش راندمان یک مبدل ترکیبی توان بالا با استفاده از تکنیک ZCT در عملیات سوئیچینگ نرم
- GNRFET-based Voltage Controlled Ring Oscillator Using GDI NAND Gate
- مقابله با اثرات جدا شدنی ناگهانی توربین گازی از شبکه سراسری، با استفاده از سیستم فازی ریزش بار بر پایه شبکه عصبی
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.