طراحی حافظه SRAM توان پایین 10 ترانزیستوری
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: کنگره ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
- کد COI اختصاصی: CECIT01_389
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 2342
نویسندگان
دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان
دانشگاه شهید باهنر کرمان،
چکیده
با توجه به اینکه سلولهای حافظه – SRAM ، یک بخش مهم در مدارات SOC امروزی میباشند و در تجهیزات قابل حمل کاربرد زیادی دارند و از طرفی با پیشرفت تکنولوژی، شاهد افزایش نمایی جریان نشتی و درنتیجه مصرف بالای توان استاتیک میباشیم، در این مقاله سعی شده است یک سلول 11ترانزیستوری جدید، برای کاهش توان نشتی و افزایش سرعت خواندن و نوشتن پیشنهاد شود. در این سلول SRAM در طول عملیات خواندن، گره های ذخیرهداده از خطوط کلمه ایزوله شدهاند. با این تکنیک ترانزیستورهای اینورترهای پشت به پشت در مسیر بحرانی تاخیر خواندن قرار نمیگیرند و در نتیجه سرعت سلول افزایش مییابد. همچنین، در این سلول از تکنیک stack به منظور کاهش نشتی استفاده شده است و درنتیجه نسبت به 4 سلول برگزیده، توان نشتی بین 65% تا % 22 کاهش یافته است. همچنین سرعت نوشتن بین 41 % تا 79 % افزایش و توان دینامیک و تاخیر خواندن نیز به مقدار قابل توجهی کاهش یافته استکلیدواژه ها
SRAM ،توان نشتی، سرعت خواندن، سرعت نوشتنمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.