A Comparative Study of BSF Layers for InGaN Single-Junction and Multi-Junction Solar Cells
- سال انتشار: 1403
- محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال، دوره: 9، شماره: 1
- کد COI اختصاصی: JR_JOPN-9-1_004
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 130
نویسندگان
Department of Engineering Sciences and Physics, Buein Zahra Technical University, Buein Zahra, Qazvin, Iran
Shahid Beheshti University, Tehran, Iran
Shahid Beheshti University, Tehran, Iran
چکیده
Abstract The tunability of the InGaN band gap energy over a wide range provides a noble spectral match to sunlight, making it a suitable material for photovoltaic solar cells. The ineffectiveness of single junction solar cell to convert solar full spectrum into electrical energy leads to transparency loss in addition with excess excitation loss. An efficient BSF layer is an essential structural element to attain high efficiency in solar cells. In this work the impact of the BSF layer for InGaN single-junction and multi-junction solar cells is studied using the computational numerical modeling with Silvaco ATLAS simulation technique. The open circuit voltage (Voc) and circuit current density (Jsc) characteristics of the simulated cells and the variation of external quantum efficiency as a function of solar cell structures have been studied. For the optimized cell structure, the maximum Jsc = ۱۴.۶ mA/cm۲, Voc = ۳.۰۸۷ V, and fill factor (FF) = ۸۸.۱۵% are obtained under AM۱.۵G illumination, exhibiting a maximum conversion efficiency of ۳۶.۱%.کلیدواژه ها
Back Surface Field, Heterojunction, InGaN, Simulation, Solar Cellاطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.