Design and Simulation of High Isolation RF MEMS Shunt Capacitor Switch for C-K Band
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE21_356
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1333
نویسندگان
School of Engineering , Deakin University, Geelong, VIC ۳۲۱۶, Australia
MEMS and RF MEMS Research Group, School of Electrical and Computer Engineering, Sadjad Institute
چکیده
Increasing the capacitance ratio in RF MEMS shunt capacitive switch will increase its RF performance but also raise its actuation voltage. To improve the RF performance of the switch without increasing its capacitance ratio, this paper explores two methods: reducing the LC resonance from the mm-wave into the X-band by using an inductive bridge, and using two short high impedance transmission lines at both ends of the CPW line. Accordingly, this paper presents the design and simulation of an electro-static low actuation voltage and a very high isolation multipurpose switch with a very large bandwidth. The simulation results are presented and discussedکلیدواژه ها
RF MEMS switch, meander, short high impedance transmission line (SHITL), low actuation voltageمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.