Analysis and optimization of Tunnel FET with Band gap Engineering
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE21_225
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1315
نویسندگان
Shiraz university of technology
Shiraz university of technology
Ferdowsi university of Mashad
Shiraz university of technology
چکیده
in this paper a high performance double gate tunnel field effect transistor (DG-TFET) is proposed. Band gap engineering is achieved in order to improve the device performance. This novelTFET is formed from variable band gap materials with 20 nm channel length to enhance on current and reach to low off-current.With precise selection of mole fraction in materials, and are designated to all region in the device and important characterises of TFET areoptimized. Low sub threshold swing below 60 mv/dec ratio as high as 10کلیدواژه ها
band-to-band tunneling, high-k dielectric, Double-gate, gated p-i-n diode, sub threshold swing,tunneling transistorمقالات مرتبط جدید
- سیستم تشخیص نفوذ در محیط رایانش ابری با استفاده از یادگیری ویژ گی
- کاهش هزینه تعمیراتی ماشین های سنگین از طریق بهبود الگوریتم درخت تصمیم با الگوریتم های انتخاب ویژگی Information Gain ،Correlation و SVM
- پردازش کوانتومی تصاویر پزشکی و تشخیص لبه آن با استفاده از الگوریتم QHED
- بررسی و مقایسه روشهای تشخیص اکانت های جعلی در شبکه های اجتماعی
- مکان یابی و مقدار بهینه منابع تولید پراکنده به منظورکاهش تلفات و بهبود انحراف ولتاژ شبکه نامتعادل توزیع
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.