A Numerical Study of a New Four-layer-substrate Closing Device
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE21_060
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1384
نویسندگان
South Tehran Branch
CentralTehran branch
Tehran university
چکیده
Creating high power electrical pulses with sub nanosecond rise time is possible by using fast impact ionization process in closing four-layer-substrate devices. Fast impactionization in semiconductor devices is one of the quickest nonoptical pulse generation methods even in the range of less thannanosecond. In this paper electron-hole plasma generation and fast impact ionization mechanism of a four-layer-substrate device would be discussed by using numerical study and also physical model, Effective factors such as impurity concentration and substrate thickness in switching velocity, current peak,generated electron-hole plasma and residual voltage in device . This study provides several optimized characteristics in these switches.کلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.