Homo- and Hetero-epitaxial Growth of InSb and AlxIn1-xSb Layers by Molecular Beam Epitaxy
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE21_033
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1546
نویسندگان
Department of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology (IUST), Tehran, Iran
Department of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology (IUST), Tehran, Iran
Electrical Engineering Department, California State University, Long Beach, California, USA
چکیده
AlxIn1-xSb and InSb layers have been grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs and InSb substrates with various orientations. Reflection high-energy electrondiffraction (RHEED) was used for in-situ monitoring of crystalline quality during growth. Quality and surface morphology of the grown layers was assessed by x-ray diffractometry (XRD), field emmission scanning electron microscopy (FE-SEM) and atomic force microscopy (AFM).Homoepitaxial InSb layers were grown on (111)A and (111)B InSb subtrates and photodiodes were fabricated by growing thinp-AlxIn1-xSb barriers between n-InSb and p-InSb layers. Heteroepitaxial InSb layers were grown on semi-insulating (001) GaAs substrates without using any buffer layer. Thisbuffer- free growth procedure speeds up the production process and eliminates the unwanted impurities at the expense of slight degradation of crystalline quality.کلیدواژه ها
Molecular Beam Epitaxy (MBE), Indium Antimonide (InSb), Aluminum Indium Antimonide(AlxIn1-xSb), Heteroepitaxyمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.