بررسی عملکرد نانو ترانزیستورهای فوق سریعHEMT به عنوان شناساگر و گسیلنده ی امواج تراهرتز
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 903
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AIHE06_186
تاریخ نمایه سازی: 31 تیر 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی چگونگی شناسایی (Detect) و گسیل (Emission) امواج تراهرتز بوسیله ی ترانزیستور اثر میدان با تحرک الکترونی بالا (HEMT) می پردازیم. کانال ترانزیستور HEMT می تواند مانند یک کاواک (گودال) تشدید برای امواج پلاسما عمل کرده که برای ادوات نانومتری فرکانس تشدید می تواند به محدود ه ی تراهرتز ((300G-3TH(z) برسد. ما نشان می دهیم که مقدار تشدید پلاسما بوسیل هی ولتاژ گیت ترانزیستور قابل تنظیم است. پاسخ ترانزیستور با افزایش شدت موج نوری (موج تراهرتز) تابیده شده به کانال قطعه افزایش می یابد. به علاوه شبیه سازی ها نشان می دهد که با کاهش مناسب طول گیت ترانزیستور پاسخ قطعه بهبود می یابد. همچنین طول ناحیه ی بیرون از گیت (Ungated Region) در مقدار پاسخ تأثیر گذار است. برای ایجاد نوسان پایدار در کانال شرایط مرزی مناسب ضروری به نظر می رسد.
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :