بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si با روش مونتکارلو برای طراحی و بهینه سازی افسارههای الکترونیکی
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 904
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AIHE06_183
تاریخ نمایه سازی: 31 تیر 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله با استفاده از تکنیک شبیه سازی مونتکارلو و در نظر گرفتن عوامل مختلف پراکندگی از قبیل فونون اکوستیکی، فونون نوری قطبی و غیر قطبی و ...، خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si مورد مطالعه قرار گرفته است. با در نظر گرفتن یک مدل تک درهای، غیر همسانگردی نیمه هادی و غیر سهموی بودن نوار هدایت تغییرات سرعت سوق در حضور میدانهای الکتریکی مختلف، دماهای مختلف در حالت پایدار و ناپایدار بررسی ده است. با استفاده از نمودارهای زمان ترابرد و سرعت سوق الکترونها برحسب ابعاد افزاره، می توان استفاده از این نیمه هادی در ساخت افزاره های الکترونیکی را بهینه سازی ک رد. همچنین برای اعتبار سنجی مدل ارائه شده، برخی از نتایج حاصل از شبیه سازی مونتکارلو با نرم افزار سیلواکو مقایسه شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهیدچمران اهواز، عضو هیات علمی گروه علمی مهندسی برق ، اهواز
فاطمه حدادیان
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، اهواز
فاطمه روستایی
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :