اعظم مطهری نسب - دانشجوی کارشناسی ارشد، مهندسی مواد مرکب- دانشگاه صنعتی مالک اشتر
بهروز شاهبهرامی - کارشناس ارشد دانشگاه صنعتی مالک اشتر
ناصر احسانی - دانشیار دانشگاه صنعتی مالک اشتر

کامپوزیتهای TaC-nanoGr-SiC با درصدهای مختلف SiC (0 تا 20 درصد حجمی) به روش زینتر بدون فشار در دو دمای 2200 درجه سانتیگراد و 2300 درجه سانتیگراد و در دو نرخ گرمادهی 5 °C/min و 2 °C/min تولید شده اند. این نمونه های کامپوزیتی تحت بررسی دانسیته، ریز ساختار، اندازه دانه، سختی و آنالیز فازی قرار گرفتند. نتایج بدست آمده حاکی از کاهش دانسیته نسبی با افزایش درصد SiC می باشد. عدم واکنش SiC با TaC و قرارگیری آن در مرز دانه های TaC با وجود جلوگیری از رشد دانه ها سبب بدام افتادن مقداری حفرات در فصل مشترک TaC و SiC و در نتیجه کاهش دانسیته نسبی شده است. کاهش نرخ گرمادهی سبب رشد بیشتر دانه ها، کاهش تخلخل ها و در نتیجه افزایش دانسیته گردیده است. افزایش دمای زینتر به علت افزایش مکانیزمهای نفوذ سبب افزایش دانسیته در هر ترکیب می شود. حداکثر مقدار دانسیته در نمونه زینتر شده در دمای 2300 درجه سانتیگراد و در نرخ گرمادهی 2 °C/min در ترکیب حاوی 0% حجمی SiC بدست آمده که برابر 98/2% می باشد.

کاربید تانتالوم، کاربید سیلیسیم، زینتر بدون فشار، کامپوزیت