Accurate Analytical Modeling of Drain Current of Heterojunction Tunneling Field Effect Transistor
- سال انتشار: 1403
- محل انتشار: ماهنامه بین المللی مهندسی، دوره: 37، شماره: 7
- کد COI اختصاصی: JR_IJE-37-7_012
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 33
نویسندگان
Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad, Iran
Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad, Iran
چکیده
An accurate analytical model is presented for drain current of the heterojunction tunneling field effect transistor, taking into account the source depletion region, mobile charges and the effect of the drain voltage. This model accurately predicts the potential distribution not only on the surface but also within the semiconductor depth by utilizing newly formulated mathematical relationships. Using the tangent line approximation method and considering the channel region as well as the source depletion region’ We analytically calculate the band-to-band tunneling current from the source to the channel by integrating the tunneling generation rate. Compared to simulation results, the proposed model demonstrates significant accuracy in predicting drain current.کلیدواژه ها
Analytical model, Heterojunction Tunneling Field Effect Transistor, Band-to-band tunneling, Tangent line approximationاطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.