Time-Dependent Instability of Threshold Voltage Mechanisms in p-Gan Gate AlGaN/Gan HEMTs under High Reverse Bias Conditions
- سال انتشار: 1402
- محل انتشار: هشتمین کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و مهندسی و پنجمین کنگره بین المللی عمران، معماری و شهرسازی آسیا
- کد COI اختصاصی: ICRSIE08_210
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 141
نویسندگان
چکیده
the abstract of this research study delves into the examination of a fascinating phenomenon. The researchers aim to explore and understand the phenomenon, focusing on its various aspects and characteristics. Through meticulous investigation and analysis, the study aims to shed light on this topic and provide valuable insights. The abstract introduces the study's objectives, giving readers a glimpse into the intriguing world that surrounds the phenomenon. It promises to be an engaging and thought-provoking research study, sure to captivate the interest of college students and researchers alike. In this article, we investigate the degradation mechanisms of Gan high-electron mobility transistors (HEMTs) with p-type gate during long-term high-temperature reverse bias (HTRB) stress and negative bias temperature instability (NBTI) stress. Through a series of stress/recovery experiments, we show that HTRB stress can cause hole emission in the p-Gan layer, resulting in a positive shift in threshold voltage (Vth), while NBTI stress can lead to detrapping at the AlGaN/Gan interface or the AlGaN layer, causing a negative shift in Vth. We also observe that the temperature rise can suppress the positive Vth shift and accelerate its recovery process in HTRB experiments.کلیدواژه ها
Bias Conditions , Voltage Instability, High-temperature reverse bias (HTRB), hole emission, negative bias temperature instability (NBTI), p-Gan, threshold voltageمقالات مرتبط جدید
- تحلیل چالشها و راهکارهای تقویت ارتباط دانشگاه و صنعت: با تمرکز بر حلقههای مفقوده
- بازخوانی نقش دانشگاه و صنعت در توسعه ملی: از موانع تا راهکارها
- نشانگر تشخیصی جدید در ژن C-myc به عنوان کیت غیر تهاجمی تشخیص سرطان دهان
- برنامه ریزی منابع تجدید پذیر با درنظر گرفتن برنامه ریزی توسعه انتقال و تولید منابع توان راکتیو
- برنامه ریزی همزمان توسعه انتقال و منابع تولید توان راکتیو با استفاده از یک الگوریتم تکاملی بهبود یافته
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.