Study of Quantum Transport in Nanoscale Double Gate Schottky SOI MOSFET on Arbitrarily Orientated Wafers:Non-equilibrium Green's Function Formalism

  • سال انتشار: 1391
  • محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
  • کد COI اختصاصی: ICNE01_200
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 1196
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Zahra Ahangari

Department of Electrical Engineering, Science and Research Branch

Morteza Fathipour

University of Tehran, Tehran

چکیده

A comprehensive study of Schottky barrier MOSFET (SBMOSFET) scaling issue is performed to determine the role of wafer orientation and structuralparameters on the performance of this device within Nonequilibrium Green's Function (NEGF) formalism. Quantum confinement increases the effective Schottkybarrier height (SBH). (100) orientation provides lower effective Schottky barrier height in comparison with (110) and (111) wafers. As the channel length of ultrathin body SBMOSFET scales down to nanoscale regime, especially for high effective SBHs, quantum confinementis created along the channel and current propagates through discrete resonance states. We have studied the possibility of resonant tunneling in SBMOSFET.Resonant tunneling for (110) and (111) orientations appear at higher gate voltages.

کلیدواژه ها

Schottky MOSFET, quantum transport, mode space approach, Non-equilibrium Green's Function (NEGF)formalism, resonant tunneling

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.