مطالعه پدیده پراش در یک ساختار دی مالتی پلکسر 4کاناله مبتنی بر کریستالهای فوتونیکی
عنوان مقاله: مطالعه پدیده پراش در یک ساختار دی مالتی پلکسر 4کاناله مبتنی بر کریستالهای فوتونیکی
شناسه ملی مقاله: ICNE01_190
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
شناسه ملی مقاله: ICNE01_190
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:
سحر هوراندقدیم - دانشجویی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی
حامد علیپوربنایی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز، گروه مهندسی برق، تبریز
خلاصه مقاله:
سحر هوراندقدیم - دانشجویی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی
حامد علیپوربنایی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز، گروه مهندسی برق، تبریز
دی مالتی پلکسر 4کاناله براساس کریستال فوتونیک دو بعدی در یک شبکهYشکل قابل اصلاح که مناسب برای مدارات یکپارچه نوری است در این مقاله پیشنهاد میشود و طول موج های خروجی ساختار به وسیله انتخابdefectمناسب در گوشه هر کاواک رزونانسی وموجبرهای خروجی در حدود0651nmجداسازی می شود.پهنای باند هر کانال تقریبا1nmوفاصله کانال های مجاور تقریبا0.48nm و طول موج های دی مالتی پلکسر به ترتیب1565.95,1566.45,1566.8 و1565.35 nm است.مقدار اصلی هم شنوایی 16.25 - و ضریب کیفیت 2259.01 است
کلمات کلیدی: پراش، هم شنواییPBG,FDTD,Defect
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/193245/