بررسی و تحلیل مداری تونل زنی در ترانزیستور تک الکترونی

  • سال انتشار: 1391
  • محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
  • کد COI اختصاصی: ICNE01_149
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 3706
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

میرمسعود حسینی کوکمری

دانشگاه علم و صنعت ایران

علیرضا احسانی اردکانی

دانشگاه صنعتی مالک اشتر

چکیده

[توضیح سیویلیکا: فایل مقاله دارای مشکل است و فرمولها به درستی نمایش داده نمی شوند] ترانزیستور تک الکترونی مهم ترین قطعه ای است که در علم نانوالکترونیک اختراع شده است و در صورت تولید این ترانزیستور به گونه ای که قابلیت کار در دمای اتاق را داشته باشد توان مصرفی وسایل الکترونیکی و قدرت محاسباتی پردازنده ها را میتواند متحول کند اساس کار ترانزیستور تک الکترونی بر پدیده ی تونل زنی استوار است. تونل زنی پدیده ای است که فقط با فیزیک کوانتوم قابل توجیه است و با فیزیک کلاسیکتوجیه نمی شود. در این مقاله با مدل سازی ساختار ترانزیستور واتصالات آن با مقاومت و خازن توانسته ایم معادلات ریاضی توضیح دهنده ی تونل زنی الکترون در ترانزیستور تکالکترونی را استخراج کنیم و با استفاده از این معادلات به توجیه رفتار الکترون و نحوه ی قرارگیری آن در باندهای انرژی به هنگام تونل زنی در ترانزیستور بپردازیم

کلیدواژه ها

انسداد کولنی، ترانزیستور تک الکترونی، تونل زنی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.