مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک
- سال انتشار: 1391
- محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
- کد COI اختصاصی: ICNE01_027
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 832
نویسندگان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
موسسه آموزش عالی لیان
چکیده
د راین مقاله طراحی ، مدل سازی و امکان پذیر بودن یک سنسورMEMS برر مننراییک ترانزیستور اثر میدانMOSFET( در حالت گیت مشترک بصورت تقویت کننرده تفاضرلی ارائه شده است.یک جفت ترانزیستورMOSFET مجاور , الکترود گیرت مشرترک را بره اشرتراک می گذارد که در پیکربندی پیچشی بر بخش های گیت ترانزیستور , شناور شده است. چر خش این گیت مشترک , فاصله گذاری نسنی بین راس های گیت و لایه فرعی را تغییرر می دهد وظرفیت ازن گیت هر ترانزیستور را هم تغییر می دهد .اتصال هر جفت ترانزیستور در یرک پیکربندی تفاضلی , یک جریان تفاضلی در طول جفت ترانزیسرتورها تولیرد می کند. اینسنسور تقویت کنندگی و ترانس کنداکتور )تقویت مغناطیسی( را به عنوان یک حرکت از گیتMEMS مجتمع سازی می کند و مقاومت ازن گیت مربوطه و جریان درین هر ترانزیستور رامعادل سازی می کندکلیدواژه ها
تقویت کننده تفاضلی ، سنسورMEMSمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.