Novel Drain Recessed Oxide SOI-MOSFET For Reduction of Short-Channel-Effects
- سال انتشار: 1401
- محل انتشار: دوفصلنامه علوم محاسباتی و مهندسی، دوره: 2، شماره: 2
- کد COI اختصاصی: JR_CSE-2-2_008
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 60
نویسندگان
Department of Engineering Sciences, Faculty of Technology and Engineering, East of Guilan, University of Guilan, Rudsar-Vajargah, Iran.
چکیده
Since the device performance is degraded with the elapsed time, it is essential to develop the novel device for enhancing the reliability. Hence, a modification inside the drain region of the SOI-MOSFET structure has been performed. A region oxide has been recessed in the drain in order to modify the electric field owing to dielectric permittivity change. The simulation results obtained by SILVACO showed the improvement of the short-channel effects in the terms of drain-induced barrier lowering, hot-carrier effects and threshold voltage fluctuation as compared to the conventional structure.کلیدواژه ها
SOI-MOSFET, Short channel effect, Threshold voltage, Recessed oxideاطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.