علی نعمتی - استاد دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه شریف
جهانبخش مشایخی - دانشجوی دکتری دانشکده فنی مهندسی دانشگاه علوم تحقیقات
شمس الدین میردامادی - استاد دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه علم و صنعت
صادق میری - کارشناسی ارشد فیزیک- مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران
رحیم زاده نازلی

لایه های دی الکتریک Ta۲O۵ در سالهای اخیر کاربرد فراوانی در ساخت فیلترهای اپتیکی مورد استفاده در لیزر، نجوم، پزشکی،علوم نظامی و ... پیدا کرده اند. این امر به دلیل پارامترهای اپتیکی و فیزیکی خوبی است که از آنها، به عنوان یک سرامیک با ضریب شکست بالا، مادهای پرکاربرد میسازد. در این تحقیق چهار زیرلایه از جنس BK۷ مورد استفاده قرار گرفت، از روش کندوپاش مغناطیسی برای انجام لایه نشانی بر روی زیرلایه ها استفاده شد و در نهایت چهار لایه Ta۲O۵ با شرایط یکسان به دست آمد. ضخامت تمامی لایه ها ۲۰۰ نانومتر انتخاب شد. نمونه ها در ادامه برای انجام عملیات حرارتی درون دستگاه بازپخت قرار گرفته و در دماهای ۴۰۰، ۵۰۰،۴۵۰ و ۵۵۰ درجه سانتیگراد، به مدت ۲ ساعت گرمادهی شدند. بررسی تاثیر بازپخت بر دانه بندی لایه های Ta۲O۵ که هدف اصلی این پژوهش بود توسط دستگاه AFM انجام گرفت و در نهایت برای بررسی مقاومت فیزیکی لایه های Ta۲O۵ ، آنالیز آستانه تخریب لیزری (LIDT) توسط لیزرNd:YAG ۱۰Hz با انرژی ۱J در طوموج ۱۰۶۴ nm و با عرض پالس ۲۰ ns بر روی نمونه ها انجام گرفت. و چگالی های سطحی انرژی آن ها پس از رخدادن تخریب با هم مقایسه شد.

پنتاکسید تانتالیوم، کندوپاش مغناطیسی، BK۷، دانه بندی، آستانه تخریب لیزری