تهمینه جلالی - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه خلیج فارس، بوشهر، ایران
محمد رستگار - گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، مرکز شیراز، شیراز، ایران

پاسخ های اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دی لکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوه ای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع می باشند. آینه های براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO۲  و Ta۲O۵  می باشد. با معرفی ماده Ce:YIG به عنوان لایه نقص مغناطیسی، افزایش عبور و زاویه دوران فارادی گزارش شده است. با استفاده از روش المان متناهی، توزیع میدان الکتریکی در طول بلورهای مغناطوفوتونی، را شبیه سازی کرد ایم. همچنین اثر ضخامت لایه نقص بر روی زاویه دوران فارادی، مورد بررسی قرار گرفته است. بر اثر جایگزیدگی نور در لایه نقص مغناطیسی و  برهمکنش شدید بین نور و ماده در بلورهای مغناطوفوتونی، پاسخ های مغناطواپتیکی این ساختارها، در نزدیکی لبه های گاف نواری افزایش یافته اند. ساختاری با ضخامت اپتیکی نصف طول موج، مناسب ترین انتخاب برای کاربردهای عملی می باشد.

مغناطواپتیک, بلورهای مغناطوفوتونی, عبور, دوران فارادی