بهبود عملکرد آنتن های میدان نزدیک رزنانسی پارازیتیک Z شکل با تغییر در ساختار عنصر پارازیتیک و استفاده از عنصر فشرده خازنی به عنوان جایگزین مدار تطبیق فعال غیر فاستری

یکی از کاربردهای مهم فرامواد، کوچک سازی آنتن است. در این مقاله ایده تغییر در ساختار بخش پارازیتیک و استفاده از عناصر فشرده به منظور جبران سازی ادمیتانس آنتن های کوچک در پهنای باند وسیع به عنوان یک راه حل اساسی در افزایش پهنای باند آنتن، مورد توجه قرار گرفته است. برای این منظور آنتن رزنانسی میدان نزدیک پارازیتیک Z شکل مورد بررسی و مطالعه قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی و ساخت نشان می دهد که درصد پهنای باند نسبی آنتن در حالت عادی چیزی در حدود ۵% می باشد. با استفاده از تغییر در ساختار جز پارازیتیکی آنتن و استفاده از تکنیک پورت دوم به جای عنصر سلفی، درصد پهنای باند نسبی آنتن به نزدیک به ۱۸% افزایش می یابد. در ادامه و با استفاده از عنصر فشرده خازنی متصل به آنتن مونوپول و ساختار پارازیتیک، پهنای باند آنتن به شدت افزایش یافته و به بیش از ۸۱% رسیده است. آنتن در هر سه حالت پیاده سازی شده و نتایج شبیه سازی و تست مورد بحث و بررسی قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

پهن باند ، آنتن الکتریکی کوچک ، ساختار پارازیتیک ، عنصر فشرده