سجاد احمد - بخش فیزیک رادیولوژی و زیست مهندسی، شری کشمیر، هندوستان
م محب الحق - مرکز علوم پزشکی، سرینیاگار، هندوستان

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارامترها می باشد

نیمه هادی ها, الکترونگاتیویتی, گاف انرژی, ضریب شکست و قطبش الکترونی