An investigation of Uniformly-Doped and Delta-Doped Al0.25Ga0.75N/ In0.1Ga0.9N Pseudomorphic HEMTs

  • سال انتشار: 1391
  • محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ISCEE15_175
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 3177
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Mohammadjavad Mohammadzamani

Device and Simulation Laboratory,Department of ElectricalandComputerEngineering,University of Tehran,North Kargar Ave,Tehran,Iran

Morteza Fathipour

چکیده

Electrical performance of AlGaN/InGaN pseudomorphic high electron mobility transistors(PHEMTs) are investigated using two-dimensional commercial numericalsimulator. Two PHEMT structures are studied, namely uniformly doped PHEMT(U-PHEMT) and PHEMT with double-delta doped layers(D-PHEMT). Simulation resultsindicate that delta-doped structure has superior performance than uniformly-doped structure which includes better carrier confinement properties and consequently reduced parasitic conduction which is manifested as higher transconductance andimproved drain current so that maximum drain current (ID,max) 1625 mA/mm and maximum transconductance(gm,max) 468 mS/mm are obtained for D-PHEMT while U-PHEMT displays maximum drain current (ID,max) 1300mA/mm and maximum transconductance(gm,max) 418 mS/mm. The small signal properties were also achieved with the current gain cut-off frequency (fT )of 46.25 GHz for D-PHEMT and 45GHz for UPHEMT.It’s found that D-PHEMT in addition to having higher ID,max and gm,max , also has an almost equal cut off frequency to the U-PHEMT

کلیدواژه ها

P-HEMT, HFET, Pseudomorphic HEMT, Delta-Doping, 2DEG

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.