Effect of Ion Implantation on the Resistance of Channel Region in the LDMOSFET
- سال انتشار: 1391
- محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ISCEE15_163
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1296
نویسندگان
Department of Electrical Engineering, South Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran
چکیده
In this paper we show the effect of ion implantation on the resistance of the LDMOSFET. In the ion implanted channel (IIC) LDMOSFET the channel region charge ismodified, thus the inversion layer charge is changed. Since the resistance in a MOSFET is determined by the inversion layercharge, the resistance of the channel region may be varied. By employing the IIC structure, the inversion layer charge decreases and thus the resistance increases.کلیدواژه ها
IIC LDMOSFET; ion implantation; inversion layer charge; channel region resistanceمقالات مرتبط جدید
- سیستم تشخیص نفوذ در محیط رایانش ابری با استفاده از یادگیری ویژ گی
- کاهش هزینه تعمیراتی ماشین های سنگین از طریق بهبود الگوریتم درخت تصمیم با الگوریتم های انتخاب ویژگی Information Gain ،Correlation و SVM
- پردازش کوانتومی تصاویر پزشکی و تشخیص لبه آن با استفاده از الگوریتم QHED
- بررسی و مقایسه روشهای تشخیص اکانت های جعلی در شبکه های اجتماعی
- مکان یابی و مقدار بهینه منابع تولید پراکنده به منظورکاهش تلفات و بهبود انحراف ولتاژ شبکه نامتعادل توزیع
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.