محمدحسین قزل ایاغ - دانشیار
محمدحسین صادقی - دانشجو کارشناسی ارشد

اندازه گیری عمق نفوذ ناخالصی در نیمه رساناها برای محاسبه تمرکز حاملهای اکثریت و تعیین عمق پیوند اهمیت دارد. کسب اطلاعات از مشخصات مواد نیمه رسانا، پیش نیاز ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع است. پیش از ساخت قطعه، مشخصات الکتریکی، دمایی و نوری ماده نیمه رسانا دارای اهمیت است. پارامترهای پایه ای که علاقه مند به شناخت آنها هستیم عبارت اند از: نوع رسانایی، تمرکز حاملها، تحرک پذیری، مقاومت و طول عمر حاملهای بار الکتریکی. با اندازه گیری میزان عمق نفوذ در ویفر میتوانیم به این دسته از اطلاعات دسترسی پیدا کنیم .برای اندازه گیری میزان عمق نفوذ ناخالصی در ویفر سیلیکون روشهای مختلفی وجود دارد. در این مقاله ضمن بررسی مختصری در مورد انواع روشها و مقایسه آنها باهم به ارائه مناسب ترین روش اندازه گیری میپردازیم.

انتشار، عمق نفوذ، غلظت آلایش.