مقایسه روشهای مختلف اندازه گیری عمق نفوذ و مقدار غلظت آلاینده در یک ویفر سیلیکون و پیشنهاد روش مناسب

  • سال انتشار: 1402
  • محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس ملی پژوهش های کاربردی در علوم برق،کامپیوتر و مهندسی پزشکی
  • کد COI اختصاصی: ECMECONF15_059
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1228
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

محمدحسین قزل ایاغ

دانشیار

محمدحسین صادقی

دانشجو کارشناسی ارشد

چکیده

اندازه گیری عمق نفوذ ناخالصی در نیمه رساناها برای محاسبه تمرکز حاملهای اکثریت و تعیین عمق پیوند اهمیت دارد. کسب اطلاعات از مشخصات مواد نیمه رسانا، پیش نیاز ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع است. پیش از ساخت قطعه، مشخصات الکتریکی، دمایی و نوری ماده نیمه رسانا دارای اهمیت است. پارامترهای پایه ای که علاقه مند به شناخت آنها هستیم عبارت اند از: نوع رسانایی، تمرکز حاملها، تحرک پذیری، مقاومت و طول عمر حاملهای بار الکتریکی. با اندازه گیری میزان عمق نفوذ در ویفر میتوانیم به این دسته از اطلاعات دسترسی پیدا کنیم .برای اندازه گیری میزان عمق نفوذ ناخالصی در ویفر سیلیکون روشهای مختلفی وجود دارد. در این مقاله ضمن بررسی مختصری در مورد انواع روشها و مقایسه آنها باهم به ارائه مناسب ترین روش اندازه گیری میپردازیم.

کلیدواژه ها

انتشار، عمق نفوذ، غلظت آلایش.

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.