بررسی و شبیه سازی ترانزیستور گالیم نیتراید (GaN با تحرک الکترونی بالا با استفاده از نرم افزار سیلواکو
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 260
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNRTEE01_015
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای گالیم نیتراید با تحرک الکترونی بالا پرداخته می.شود ابتدا به معرفی این ترانزیستورها و مزایای استفاده از آن میپردازیم. سپس مشخصه های این ترانزیستورها و اثرات خودگرمایی در دو حالت بدون لایه آلومینیوم نیتراید و با لایه آلومینیوم نیتراید به عنوان هیت سینک بررسی میشود در انتها به مقایسه مشخصه های دو افزاره میپردازیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
میلاد غلامی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه رازی کرمانشاه،
سیدمحمدامین معصومی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه رازی کرمانشاه،
مزدک رادملکشاهی
عضو هیات علمی گروه برق، دانشگاه رازی کرمانشاه،