شبیه سازی موج یونیزاسیون برخوردی سریع در افزاره نیمه هادی سیلیکون

  • سال انتشار: 1391
  • محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEEE04_311
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 996
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

تارا افرا

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، تهران، ایران

ماندانا دانش

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، تهران، ایران

مرتضی فتحی پور

دانشگاه تهران، تهران، ایران

چکیده

طراحی معمول سوئیچ های نیمه هادی توان بالای نانو ثانیه ای، بر اساس تولید موج یونیزاسیون برخوردی سریع (FIIF) در ساختار های 3 لایه و 4 لایه (+)P(+) n n و (+)P(+) P n n با اعمال پالس ولتاژ بالا، و زمان صعود نانو ثانیه ای صورت می گیرد و سریعترین روش تولید پلاسمای الکترون و حفره و پالس جریان بسیار بال در سوئیچ های نیمه هادی می باشد. با اعمال پالس ولتاژ سریع، که توسط سوئیچ های نیمه هادی باز شونده تولید می شود، سوئیچ نیمه هادی (FIIF) در مد ت چند نانو ثانیه، از حالت هدایت ضعیف به هدایت بسیار بالا می رود. در این مقاله، به کمک نرم افزار شبیه سازی سیلواکو به بررسی مشخصه های الکتریکی ساختار داینیستور (+)P(+) P n n بر اثر مکانیزم موج یونیزاسیون بر خوردی سریع می پردازیم.

کلیدواژه ها

سوئیچ توان بالا، موج یونیزاسیون سریع، پلاسما، داینیستور

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.