ساخت کامپوزیت C/C-SiC دو بعدی با استفاده از رزین فنویک و روش SLI

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 164

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

MCONF06_106

تاریخ نمایه سازی: 9 اردیبهشت 1402

چکیده مقاله:

در این مقاله کامپوزیت C/C-SiC با استفاده از رزین فنولیک به عنوان پیش ماده کربنی و روش LSI ساخته شده اند. به منظور بررسی اثر دمای پیرولیز و LSI بر ریز ساختار و استحکام خمشی کامپوزیت های C/C-SiC سه نمونه C,B,A با دما پیرولیز و LSI متفاوت ساخته شدند. الگوهای پراش اشعه ایکس این کامپوزیت ها تایید کننده تشکیل زمینه کاربید سیلیسیم و زمینه کربنی است. همچنین افزایش چگالی کامپوزیت ها نشانه دیگری از تشکیل زمینه کاربید سیلیسیم است. از طریف دیگر افزایش دمای پیرولیز موجب افزایش تعداد و عرض ترک های مویین در پریفرم کربن /کربن و در نتیجه افزایش استحکام خمشی شده است. همچنین افزایش دمای LSI موجب افزایش چگالی، درصد زمینه کاربید سیلیسیم و افزایش استحکام خمشی شده است.

نویسندگان

سیدمحمدسعید علوی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه جامع امام حسین (ع)

سیدعباس وزیری

دانشیار دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه جامع امام حسین (ع)

عباس وزیری

استادیار دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه جامع امام حسین (ع)