بهبود پهنای باند فرامواد مغناطیسی مبتنی بر SRR
عنوان مقاله: بهبود پهنای باند فرامواد مغناطیسی مبتنی بر SRR
شناسه ملی مقاله: ICEEE04_066
منتشر شده در چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران در سال 1391
شناسه ملی مقاله: ICEEE04_066
منتشر شده در چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:
عبدالشکور ریگی تمندانی - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه سیستان و بلوچستان
جواد احمدی شکوه - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه سیستان و بلوچستان
سعید توکلی افشاری - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه سیستان و بلوچستان
خلاصه مقاله:
عبدالشکور ریگی تمندانی - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه سیستان و بلوچستان
جواد احمدی شکوه - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه سیستان و بلوچستان
سعید توکلی افشاری - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه سیستان و بلوچستان
در این مقاله روشی برای افزایش پهنای باند ساختارهای فرامواد ارائه شده است. ساختارهای فرامواد استفاده شده در این تحقیق بر اساس Split Ring Resonators (SRR) هستند که جزو شناخته شده ترین ساختارهای برای تحقق فرامواد با ضریب گذردهی مغناطیسی منفی می باشند. در اینجا به منظور افزایش پهنای باند با استفاده از چرخش رینگ داخلی SRR با زوایای مختلف در یک ساختار ترکیبی، که در اینجا سلول واحد نامیده می شود، استفاده شده است. علاوه بر این، تأثیر نحوه چیدمان SRRها در سلول واحد بر روی پهنای باند در این تحقیق بررسی شده است.
کلمات کلیدی: فرامواد، ضریب گذردهی مغناطیسی منفی،SRR
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/164147/