Effect of Fringing Field on the Performance of P-I-N Carbon Nanotube Field Effect Transistors

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,142

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNN02_239

تاریخ نمایه سازی: 27 شهریور 1391

چکیده مقاله:

Carbon nanotube field effect transistors have been under special attention in recent years. This is due to their unique properties such as nearly ballistic transport and the capability of delivering high current densities. There are a variety of structures suggested for using the carbon nanotube as the channel of a CNTFET, among them the coaxial structure has been shown to have the best gate to channel electrostatical coupling and has been fabricated recently [1]. In this paper we investigate the effect of fringing field on the performance of the coaxial p-i-n CNTFETs. This type of CNTFET was first proposed by Koswatta et al [2]. Fig.1 shows the proposed transistor structure. P-i-n CNTFETs operate by modulating the band to band (BTB) current between the doped and the intrinsic parts of the carbon nanotube. Its main virtue lies on its lower power delay product (PDP) if compared to other types of CNTFET. PDP is a measure of power dissipation per switching event [2]. In this paper the effect of fringing field on the performance of the proposed transistor has been studied in detail. For the devices of nanometer size the fringing field between the electrodes is considerable and should be accounted for the device performance and circuit design

نویسندگان

I Hassaninia

Department of Electrical Engineering, University of Shiraz. Shiraz

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Z. Chen, D. Farmer, S. Xu, R. Gordon, P. Avouris, ...
  • S. Koswatta, D. Nikonov, M.S Lundstrom, IEDM Technical Digest IEEE ...
  • J. Guo, S. Koswatta, N. Neophytou, M.S Lundstrom, International journal ...
  • G.W. Brown, B.W. Lindsay, Solid State Electronics, 19, 991-992, 1976. ...
  • Y.Yoon, O. Yijian, J. Guo, IEEE Trans on Electron Devices, ...
  • نمایش کامل مراجع