نوسان ساز حلقوی جدید قابل تنظیم مبتنی بر وارونگرهای DTMOS و FGMOS با فرکانس بالا و توان پایین در فناوری ۱۸۰ نانومتر CMOS

در این مقاله، یک نوسان ساز حلقوی جدید قابل تنظیم مبتنی بر وارونگر DT/FGMOS ارائه می شود. وارونگر پیشنهادی در ساختاراین نوسان ساز حلقوی بصورت ترکیبی از روش DTMOS (برای تمامی ترانزیستورها ی PMOS) و ترانزیستور FGMOS (برایتمامی ترانزیستورهای NMOS) است. براساس شبیه سازی های صورت گرفته با نرم افزار HSPICE و نتایج بدست آمده در فناوری۱۸۰ نانومتر و ولتاژ تغذیه ۰/۸ ولت، فرکانس نوسان این نوسانساز در محدوده تنظیم از ۴۱۵ مگاهرتز تا ۶۶۸ مگاهرتز تغییر کرده و توان مصرفی آن در محدوده تنظیم فرکانسی از ۲۲/۳۰ تا ۳۲/۲۲ میکرو وات تغییر می کند. حاصلضرب تاخیر- توان (PDP) به عنوانیک معیار شایستگی در این تحقیق مورد ارزیابی قرار گرفته است. براساس نتایج حاصله، در محدوده تنظیم فرکانسی مقادار PDP دربازه ۸/۰۳ تا ۸/۰۴ فمتو ژول است. PDP طرح پیشنهادی در مقایسه با روشاای پیشرفته و به روز فوق العاده پایین است که اینطرح را برای کاربردهای توان پایین و فرکانس بالا بسیار مناسب می سازد. همچنین، مدار پیشنهادی یک عملکرد قوی در مقابلتغییرات دما و ولتاژ تغذیه از خود نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

نوسان ساز حلقوی ، ترانزیستور FGMOS ، روش DTMOS ، وارونگر DT/FGMOS ، قابل تنظیم ، حاصل ضرب تاخیر- توان (PDP)