اثر آلایش کلرید سدیم بر ویژگی های الکتروشیمیایی نوری لایه نازک هماتیت

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 193

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

MEISC01_028

تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1401

چکیده مقاله:

در این پژوهش آند نوری هماتیت آلاییده با NaCl به روش رسوب گذاری از فاز مایع تحت میدان الکتریکی باهدف کاهش ولتاژ شروع واکنش اکسید شدن آب بر روی شیشه رسانای شفاف با پوشش اکسید قلع آلاییده بافلوئر (FTO) رشد داده شد. از کمپلکس (-۳)(FeF۶) به عنوان پیشماده آهن و اسیدبوریک به عنوان مصرف کننده یون فلور جهت رسوب گذاری استفاده شد. فرایند رسوبگذاری با اعمال یک میدان الکتریکی بین زیرلایه شیشه با پوشش FTO و الکترود گرافیت در دمای ۶۰°C به مدت ۶ دقیقه انجام شد. سپس لایه های حاصل در دمای ۸۰۰°C به مدت ۲۰ دقیقه عملیات حرارتی شدند. آنالیز پراش پرتو ایکس (XRD) تشکیل هماتیت ((α-Fe(۲)O(۳) را پس از عملیات حرارتی لایه ی نشانده شده در دمای ۸۰۰°C تایید کرد. شکاف انرژی نمونه ها با استفاده ازطیف سنج نور مربی حدود ۲/۱eV اندازه گیری شد. جریان الکتروشیمیایی نوری نمونه های هماتیت خالص و هماتیت آلاییده با NaCl اندازه گیری شد. افزودن ۱/۵، ۳ و ۷ درصد مولی کلرید سدیم در ۱ دقیقه ی پایانی لایه نشانی، ولتاژ شروع واکنش اکسیداسیون را نسبت به نمونهی خالص تغییر میدهد. نتایج نشان داد ولتاژ شروع برای نمونه ی لایه نشانی شده با ۷% مولی کلرید سدیم نسبت به نمونه ی خالص ۱۲۰mV کاهش یافته است.

نویسندگان

فهیمه اسمعیلی

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی سرامیک، بخش مهندسی مواد، دانشگاه تربیت مدرس

امین پوردخانی

استادیار مهندسی مواد، بخش مهندسی مواد، دانشگاه تربیت مدرس تهران

رضا پورصالحی

دانشیار مهندسی مواد، بخش مهندسی مواد دانشگاه تربیت مدرس تهران