مریم قلی زاده آرشتی - گروه فیزیک، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
لیدا بابازاده حبشی - گروه فیزیک، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
منیر کمالیان - گروه فیزیک، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
ابراهیم حسنی - گروه فیزیک، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

نانوذرات کادمیوم تلوراید با روش تبخیر حرارتی در دمای زیرلایهC °۲۰۰ و فشار  بر روی زیرلایه­ های شیشه­ ای که با لایه­ های نازک شفاف و رسانای اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) و اکسید قلع آلاییده شده با فلورین (FTO) پوشش داده شده است، لایه نشانی شد. ضخامت لایه های تهیه شده حدود nm۲۰۰ تعیین شد. ساختار، خواص اپتیکی، الکتریکی و ریخت شناسی سطح لایه ­ها به ترتیب توسط پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی فرابنفش- مرئی (UV-Vis)، مشخصه ­یابی جریان-ولتاژ (I-V) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) تحلیل شدند. طیف­های XRD ساختار مکعبی لایه نازک کادمیوم تلوراید لایه ­نشانی شده بر روی هر دو زیرلایه ITO و FTO را نشان می­دهند. جهت­ گیری ترجیحی فیلم­های لایه ­نشانی شده نیز از راستای (۱۱۱) برای زیرلایه ITO به (۲۲۰) برای زیرلایه FTO تغییر کرد. اندازه بلورینگی لایه ­ها روی ITO و FTO در این راستاها به ترتیب برابر با حدود ۲۳/۴۱ و ۳۴/۸۴ نانومتر به دست آمد. با استفاده از طیف سنجی UV-Vis در محدوده طول موج nm ۲۰۰-۱۲۰۰ طیف­های عبور از لایه­ های نازک مشخص شد. گاف انرژی اپتیکی لایه های نازک روی زیرلایه ­های ITO و FTO به ترتیب eV ۱/۶۰ و  eV۱/۶۳ محاسبه شد. منحنی I-V رسانایی الکتریکی بیشتر لایه نازک کادمیوم تلوراید بر روی FTO را در مقایسه با ITO نشان می­دهد. تصاویر ریخت شناسی سطح، همگنی و یکنواختی سطح را نشان می­دهد.

کادمیوم تلوراید, لایه نشانی تبخیر حرارتی, گاف انرژی, اندازه بلورینگی, ضریب خاموشی