اثر اسپین و میدان الکتریکی بر خواص الکترونی

مهندسی گاف انرژی در این پژوهش مورد تحقیق و بررسی قرار گرفت. اعمال میدان الکتریکی و جفت شدگی اسپین-مدارتاثیر خود را بر باز شدن گاف انرژی می گذارند. با استفاده از شبیه ساز ATK ، نمونه ها آماده و ساختار نواری آنها بر طبقتئوری تابعی چگالی و تابع غیرتعادلی گرین مورد آنالیز و سنجش قرار گرفت.

کلیدواژه ها:

گاف انرژی ، گرافیت ، سیلیسن ، اثر اسپین-مدار ، سلنید بیسموت ، میدان الکتریکی استاتیک

نویسندگان

مریم خراشادی زاده

گروه فیزیک دانشگاه بیرجند، بیرجند

صدور گواهی نمایه سازی
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

https://civilica.com/doc/1579865

شناسه ملی سند علمی:

NANOCDSTS01_029

تاریخ نمایه سازی: 15 دی 1401

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:

خراشادی زاده، مریم،1401،اثر اسپین و میدان الکتریکی بر خواص الکترونی،اولین کنفرانس بین المللی تحقیقات پیشرو دانشجویان نانو فناوری،تهران،https://civilica.com/doc/1579865

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1401، خراشادی زاده، مریم؛ )
برای بار دوم به بعد: (1401، خراشادی زاده؛ )
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:

رتبه علمی دانشگاه بیرجند

نوع مرکز: دانشگاه دولتی

تعداد مقالات: 10,962

در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید