Influence of Aluminum Concentration of Barrier on Noise Characteristics of Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMTs

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,407

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

SASTECH05_253

تاریخ نمایه سازی: 22 مرداد 1391

چکیده مقاله:

The noise characteristics of Composite-Channel AL0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT is calculated as a function of gate voltage as well as drain voltage. The noise curve versus drain voltage shows two regions. The first region is related to the triode region of the transistor where the noise decreases with increase of the drain voltage. The second region is related to the saturation region of the transistor where the noise is almost constant. The noise curve versus gate voltage also shows two regions. The first region is related to the saturation region of the transistor where the noise decreases with increase of the gate voltage. The second region is related to the triode region where the noise increases with increase of the gate voltage. Also minimum Noise Figure (NFmin) is calculated for different Aluminum mole fraction of barrier.It is shown that the minimum Noise Figure (NFmin) decreases when the Aluminum mole fraction increases.

نویسندگان

Robab Madadi

Arak Azad University

Rahim Faez

Sharif University of technology

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ reehologیy. Proceedings. _ _ 2, pp. 1163-1168. ...
  • U. K. Mishra et al. (1998). GaN microwave electronics. IEEE ...
  • M. S. Shur (1998) GaN based transistors for high power ...
  • S. J. Pearton et al (1999). GaN: Processing, defects, and ...
  • J. C. Zolper (1999). Wide bandgap semiconducto microwave technologies: From ...
  • s"sAsrech 2011, Khavaran Higher-education Institute, Mashhad, Iran. May 12-1, ...
  • I.Adesida et al (2001). A1GaN/GaN HFETs for low noise applications ...
  • W. Lu et al. (2002). DC, RF, and Microwave Noise ...
  • Wu Lu et a. (2003). DC, RF, and Microwave Noise ...
  • A. T. Ping et al. (2000). Microwave noise performance of ...
  • N. X. Nguyen et al. (2000). Robust low microwave noise ...
  • W. Lu et al. (2001). AlGaN/GaN HEMTs On SiC with ...
  • I. P. Smorchkova et al. (2003). AlGaN/GaN HEMTs -operation in ...
  • O. Ambacher et al. (2002). Pyroelectric properties of Al (In)GaN/GaN ...
  • Zhiqun Cheng et al. (2005). Broadband Microwave Noise Characteristics of ...
  • نمایش کامل مراجع