ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

Influence of Aluminum Concentration of Barrier on Noise Characteristics of Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMTs

سال انتشار: 1390
کد COI مقاله: SASTECH05_253
زبان مقاله: انگلیسیمشاهده این مقاله: 2,206
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 8 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله Influence of Aluminum Concentration of Barrier on Noise Characteristics of Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMTs

Robab Madadi - Arak Azad University
Rahim Faez - Sharif University of technology

چکیده مقاله:

The noise characteristics of Composite-Channel AL0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT is calculated as a function of gate voltage as well as drain voltage. The noise curve versus drain voltage shows two regions. The first region is related to the triode region of the transistor where the noise decreases with increase of the drain voltage. The second region is related to the saturation region of the transistor where the noise is almost constant. The noise curve versus gate voltage also shows two regions. The first region is related to the saturation region of the transistor where the noise decreases with increase of the gate voltage. The second region is related to the triode region where the noise increases with increase of the gate voltage. Also minimum Noise Figure (NFmin) is calculated for different Aluminum mole fraction of barrier.It is shown that the minimum Noise Figure (NFmin) decreases when the Aluminum mole fraction increases.

کلیدواژه ها:

ALGaN,GaN,Microwave noise,Minimum Noise Figure(NFmin),Composite- Channel HEMT

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا SASTECH05_253 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/157544/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Madadi, Robab and Faez, Rahim,1390,Influence of Aluminum Concentration of Barrier on Noise Characteristics of Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMTs,5th Symposium on Advances in Science and Technology,Mashhad,,,https://civilica.com/doc/157544

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1390, Madadi, Robab؛ Rahim Faez)
برای بار دوم به بعد: (1390, Madadi؛ Faez)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • _ reehologیy. Proceedings. _ _ 2, pp. 1163-1168. ...
  • U. K. Mishra et al. (1998). GaN microwave electronics. IEEE ...
  • M. S. Shur (1998) GaN based transistors for high power ...
  • S. J. Pearton et al (1999). GaN: Processing, defects, and ...
  • J. C. Zolper (1999). Wide bandgap semiconducto microwave technologies: From ...
  • s"sAsrech 2011, Khavaran Higher-education Institute, Mashhad, Iran. May 12-1, ...
  • I.Adesida et al (2001). A1GaN/GaN HFETs for low noise applications ...
  • W. Lu et al. (2002). DC, RF, and Microwave Noise ...
  • Wu Lu et a. (2003). DC, RF, and Microwave Noise ...
  • A. T. Ping et al. (2000). Microwave noise performance of ...
  • N. X. Nguyen et al. (2000). Robust low microwave noise ...
  • W. Lu et al. (2001). AlGaN/GaN HEMTs On SiC with ...
  • I. P. Smorchkova et al. (2003). AlGaN/GaN HEMTs -operation in ...
  • O. Ambacher et al. (2002). Pyroelectric properties of Al (In)GaN/GaN ...
  • Zhiqun Cheng et al. (2005). Broadband Microwave Noise Characteristics of ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی