بررسی رفتار الکتروشیمیایی رسوب دهی فلز روی در چگالی جریان های مختلف

در این تحقیق ، فرایند ترسیب الکتروشیمیایی فلز روی با ثابت نگاه داشتن جریان اعمالی و ثبت تغییرات پتانسیل بر حسب زمان انجام شده است . روند تغییرات پتانسیل در چگالی جریان های اعمال شده 35 ، 40 و mA/cm2 45 یکسان بوده و پس از افزایش اولیه ، به مقدار پایداری می رسد . سپس جهت مطالعه مکانیزم ترسیب ، در پتانسیل های پایدارتعیین شده ، طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی در محلول اسیدی سولفات روی و بر روی زیرلایه ی آلومینیومی انجام شده است . بررسی های مورفولوژیکی و ترکیب شیمیایی نمونه ها با میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) به همراه طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس (EDX) انجام شده است .از مطالعات امپدانس الکتروشیمیایی نتیجه می شود ، فرآیند رسوب دهی فلز روی در پتانسیل های مورد بررسی به شدت تحت تاثیر احیای یون های هیدروژن و متصاعد شدن گاز می باشد . همچنین مشاهده می شود با افزایش چگالی جریان گالوانواستاتیک ، پتانسیل ترسیب افزایش یافته و در نمودار نایکوییست مقاومت محلول مقدار کوچکتری را اختیار نموده است. علت کاهش مقاومت محلول با افزایش پتانسیل ترسیب نیز ، توسط تسریع الکترون دهی و تصاعد گاز هیدروژن و در نتیجه تولید مقادیر زیادی یون هیدروکسید در محلول توجیه می شود . کوچکتر شدن مقاومت انتقال بار در نمودار نایکوییست با افزایش پتانسیل ترسیب نیز ﻣﺆید این دست آورد می باشد . از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی و داده های طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس نیز مشاهده می شود چگالی جریان های بررسی شده اثری بر مورفولوژی سطحی و میزان خلوص روی در پوشش های حاصله نداشته اند .

کلیدواژه ها:

رسوب دهی گالوانواستاتیک ، چگالی جریان ، طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی