بهبود شیب زیر آستانه برای ترانزیستور اثر میدانی تونلی با استفاده از ساختار ناهمگون
محل انتشار: اولین کنفرانس هوش مصنوعی و پردازش هوشمند
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 603
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AISC01_028
تاریخ نمایه سازی: 16 آبان 1401
چکیده مقاله:
استفاده از ساختار ناهمگون در ترانزیستور اثر میدانی تونلی موجب کاهش شیب زیر آستانه می شود. در این مقاله با استفاده از ساختار پیشنهادی سه لایه ناهمگون ژرمانیوم-سیلیسیم-ژرمانیوم در ترانزیستور اثر میدانی تونلی علاوه بر کاهش شیب زیر آستانه جریان تونلی در ولتاژ گیت صفر به صفر رسیده و کنترل گیت بر جریان تونلی کانال افزایش یافته است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رامین نوری بیات
دانشجوی دکتری برق و الکترونیک دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان
عبداله عباسی
استادیار دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
استاد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان