سید مهدی صالحی قهفرخی - دانشجوی ارشد مهندسی برق گرایش مدارات مجتمع الکترونیک دانشگاه شهرکرد
سید وحید میرمقتدایی - استادیار گروه مهندسی برق الکترونیک و مخابرات دانشگاه شهرکرد

در این مقاله یک تضعیف کننده کنترل شده با ولتاژ در باند فرکانسی X ۸GHz تا ۱۲GHz با استفاده از تکنولوژیCMOS ۶۵nm طراحی شده است. در هر یک از بازوهای موازی و سری این تضعیف کننده که از نوع Π می باشد، سه ترانزیستورMOSFET به صورت سری قرار دارد تا محدوه مقاومت مطلوب کنترل شده با ولتاژ حاصل شود. به منظور کاهش اثر خازن هایگیت-سورس و گیت-درین، از مقاومت های ۱۰kΩ بصورت سری در گیت ها استفاده شده است. همچنین جهت جبران خازن هایپارازیتی و بهبود پاسخ فرکانسی در هر یک از بازوهای سری و موازی، سلف موازی به کار گرفته شده است. نتایج شبیه سازینشان می دهد که محدوده ی تضعیف این تضعیف کننده هنگام اعمال ولتاژ کنترلی از ۰ تا v۱ ، ۳۰dB و حداقل ۲۱S حداقلتضعیف ۳dB- در بازه فرکانسی GHz۸ تا ۱۲GHz است. همچنین ۱۱S در مدار پیشنهادی در بدترین حالت dB ۸.۸- است.نتایج شبیه سازی حالت گذرای مدار نشان می دهد که با تغییر ناگهانی ولتاژ کنترل از ۰ به ۱v ، سیگنال RF ورودی، در زمانگذار کمتر از ۱ns به حداکثر میزان تضعیف می رسد که نشان دهنده سرعت قابل توجه پاسخ زمانی مدار پیشنهادی است

تضعیف کننده باند X، کنترل شده با ولتاژ، تکنولوژی CMOS ۶۵nm