Investigation of optimum junction depth of InSb Infrared Photodiode

  • سال انتشار: 1391
  • محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE20_502
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 1161
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

M Asad

Nanotechnology Research Center, Shiraz University

M Ghorbanzadeh

University of Tehran, Electrical Department, Device and Simulation Lab, MEMS and NEMS Lab

Gh Sareminia

M Fathipour

چکیده

Junction depth plays an important role in determining reverse saturation current (Is) and the quantum efficiency η of a detector. In order to reduce the Is and increase the η, thethickness of p-type region is made as thin as possible. To evaluate the effect of junction depth on quantum efficiency andreverse saturation current we calculated the efficiency and fabricate InSb PV detector, and the effect of junction depth on performance of this type of detector acquired

کلیدواژه ها

InSb PV detector, Junction depth, Diffusion, Reverse saturation current

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.