Investigation of optimum junction depth of InSb Infrared Photodiode
- سال انتشار: 1391
- محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE20_502
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1171
نویسندگان
Nanotechnology Research Center, Shiraz University
University of Tehran, Electrical Department, Device and Simulation Lab, MEMS and NEMS Lab
چکیده
Junction depth plays an important role in determining reverse saturation current (Is) and the quantum efficiency η of a detector. In order to reduce the Is and increase the η, thethickness of p-type region is made as thin as possible. To evaluate the effect of junction depth on quantum efficiency andreverse saturation current we calculated the efficiency and fabricate InSb PV detector, and the effect of junction depth on performance of this type of detector acquiredکلیدواژه ها
InSb PV detector, Junction depth, Diffusion, Reverse saturation currentمقالات مرتبط جدید
- ارزیابی اقتصادی و زیست محیطی سناریوهای ترکیب انرژی تجدیدپذیر در برنامه ریزی تولید برق ایران تا افق ۱۴۱۰
- بررسی فناوریها و استراتژیها برای بهینه سازی مصرف انرژی و افزایش کارایی در شبکه های توزیع
- فناوری اطلاعات و ارتباطات سبز
- Hoo Controller Design for a Quadruple-Tank Multivariable System: Robust Performance via Weighted Sensitivity Shaping
- تاثیر حیاتی همبستگیهای آماری ضعیف بادبار بر قابلیت اطمینان سیستمهای قدرت: دیدگاهی فراتر از مدلهای سنتی
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.