Dependence of Self-Heating Effect on Substrate in AlGaN/GaN HEMT Devices
- سال انتشار: 1391
- محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE20_371
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 3019
نویسندگان
University of Tehran
University of Tehran
چکیده
in this paper, the effect of substrate on thermal resistance of AlGaN/GaN HEMT devices is investigated. The results of this investigation show that device self-heating isstrongly affected by the thickness and material type of substrate and the thermal conductivity of materials utilized in device structure. Sapphire, SiC and GaN substrates are usually used inAlGaN/GaN HEMT devices. For AlGaN/GaN HEMT device, we have investigated that how the use of these substrates influence heating characteristics of the deviceکلیدواژه ها
component; AlGaN, GaN, High Electron Mobility Transistor (HEMT), Self-heatingمقالات مرتبط جدید
- ارزیابی اقتصادی و زیست محیطی سناریوهای ترکیب انرژی تجدیدپذیر در برنامه ریزی تولید برق ایران تا افق ۱۴۱۰
- بررسی فناوریها و استراتژیها برای بهینه سازی مصرف انرژی و افزایش کارایی در شبکه های توزیع
- فناوری اطلاعات و ارتباطات سبز
- Hoo Controller Design for a Quadruple-Tank Multivariable System: Robust Performance via Weighted Sensitivity Shaping
- تاثیر حیاتی همبستگیهای آماری ضعیف بادبار بر قابلیت اطمینان سیستمهای قدرت: دیدگاهی فراتر از مدلهای سنتی
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.