Heteroepitaxial Growth of InSb Directly on (001) GaAs Without Any Buffer Layer Using Growth Rate Ramping by MBE
- سال انتشار: 1391
- محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE20_289
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1573
نویسندگان
Department of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology (IUST
چکیده
Heteroepitaxial InSb layers were grown on semiinsulating (001) GaAs substrates without any buffer layer showing good quality and acceptable electron mobilities at both77K and 300K. The heteroepitaxial growth was started with the lowest possible rate by slowly ramping of Indium source temperature from its idle value up to the nominal onecorresponding to a growth rate of approximately a micron per hour. This procedure speeds up the production and eliminatesunwanted impurities without losing much mobility as a tradeoff. Also some empirical lines fitted to previously reported dataindicating that creditable 77K (300K) mobilities of heteroepitaxial InSb/GaAs layers are within 30%-80% (50%- 100%) of minimum homoepitaxial mobilities, and half of our measured mobilities are well within the regionsکلیدواژه ها
Heteroepitaxy, Buffer, Molecular Beam Epitaxy (MBE), Indium Antimonide (InSbمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.