Heteroepitaxial Growth of InSb Directly on (001) GaAs Without Any Buffer Layer Using Growth Rate Ramping by MBE

  • سال انتشار: 1391
  • محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE20_289
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 1586
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Mahdi Mohammadkhani

Department of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology (IUST

Seyed Ahmad Mohaddes Kasaei

Sattar Mirzakuchaki

چکیده

Heteroepitaxial InSb layers were grown on semiinsulating (001) GaAs substrates without any buffer layer showing good quality and acceptable electron mobilities at both77K and 300K. The heteroepitaxial growth was started with the lowest possible rate by slowly ramping of Indium source temperature from its idle value up to the nominal onecorresponding to a growth rate of approximately a micron per hour. This procedure speeds up the production and eliminatesunwanted impurities without losing much mobility as a tradeoff. Also some empirical lines fitted to previously reported dataindicating that creditable 77K (300K) mobilities of heteroepitaxial InSb/GaAs layers are within 30%-80% (50%- 100%) of minimum homoepitaxial mobilities, and half of our measured mobilities are well within the regions

کلیدواژه ها

Heteroepitaxy, Buffer, Molecular Beam Epitaxy (MBE), Indium Antimonide (InSb

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.